総理工学研究科の平儀野雄斗さんがⅡ-VI族化合物半導体国際会議においてBest Student Presentation Awardを受賞

公開日 2013年02月14日

 2013年9月9~13日に滋賀県長浜市で開催されたThe 16th International Conference on II-VI Compound and Related Materials(http://ic26-2013.org/index.php)において総合理工学研究科マテリアル創成工学専攻博士後期課程1年の平儀野雄斗さんがポスター発表(演題”MOCVD Growth of High Quality ZnO Filmson Al2O3 (110)”)を行い、Best Student Presentation Awardを受賞しました。本受賞は、次世代発光ダイオード用の材料として期待される酸化亜鉛薄膜を生産する技術であるMOCVD法(有機金属気相成長法)において世界で最も高品質な薄膜の製造に成功したこと、および発表技術が評価されたものです。本国際会議では世界15か国の研究者から140件の発表があり、ポスター発表(87件)からは本件だけが受賞しました。なお、本研究は重点研究部門「S-グリーン・ライフナノ材料プロジェクト」の若手研究員の育成により支援されたものです。


受賞式の模様


受賞した平儀野さんと指導教員の藤田教授
(S-グリーン・ライフナノ材料プロジェクト・プロジェクトリーダー)